Содержание драгоценных металлов в полупроводнике 3ОТ110Г
Драгоценный метал в составе изделия : золото
Золото: 14,15
* Содержание в граммах на 1000 шт.
Соответствие паспортным данным:
70-80 % по золоту
Страна изготовитель — Россия
Оптопары 3ОТ110Г
Основные технические параметры 3ОТ110Г:
Оптопары транзисторные 3ОТ110Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ110А:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 100 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 10 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 200 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
Оставить комментарий